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北京同林科技有限公司

同林臭氧 · 臭氧發(fā)生器廠家專注臭氧20年

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為尖端材料沉積賦能:北京同林M1000型高精度臭氧源

為尖端材料沉積賦能:北京同林M1000型高精度臭氧源

摘要

在原子層沉積(ALD)、脈沖激光沉積(PLD)等尖端材料制備工藝中,前驅(qū)體的精準投遞與穩(wěn)定反應是生成高質(zhì)量、高性能薄膜的關(guān)鍵。臭氧作為強氧化劑,其純度、濃度及流量的穩(wěn)定性直接決定了薄膜的結(jié)晶質(zhì)量、均勻性和性能。

更新時間:2025-09-16
來源:1y1j.cn
作者:同林科技
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關(guān)鍵詞: 臭氧源
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為尖端材料沉積賦能:北京同林M1000型高精度臭氧源

在原子層沉積(ALD)、脈沖激光沉積(PLD)等尖端材料制備工藝中,前驅(qū)體的精準投遞與穩(wěn)定反應是生成高質(zhì)量、高性能薄膜的關(guān)鍵。臭氧作為強氧化劑,其純度、濃度及流量的穩(wěn)定性直接決定了薄膜的結(jié)晶質(zhì)量、均勻性和性能。

北京同林M1000型高精度臭氧發(fā)生器,專為應對此類嚴苛實驗環(huán)境而生,致力于為您的材料科學研究提供純凈、穩(wěn)定、可精準調(diào)控的高品質(zhì)臭氧氣源。

為尖端材料沉積賦能:北京同林M1000型高精度臭氧源

為ALD/PLD實驗量身定制的核心特性

超高純度氣體輸出,保障薄膜本征特性

采用進口雙阻擋介質(zhì)石英放電管與優(yōu)化電暈技術(shù),產(chǎn)生超高純度臭氧,無氮氧化物(NOx)及金屬離子雜質(zhì)。徹底避免雜質(zhì)摻入對薄膜(如高k介質(zhì)、透明導電氧化物)電學、光學性能的不利影響,確保實驗數(shù)據(jù)的真實性與重復性。

精密濃度與流量控制,實現(xiàn)工藝完美重復

獨特的十檔位線性濃度調(diào)節(jié)功能(1-110mg/L),可精準匹配不同前驅(qū)體的氧化反應動力學需求。無論是需要低濃度臭氧進行表面溫和氧化,還是高濃度臭氧實現(xiàn)快速體相反應,M1000都能提供穩(wěn)定、精確的氣源,是實現(xiàn)ALD自限制性反應和PLD均勻沉積的重要保障。

卓越的穩(wěn)定性與長壽命,支持不間斷工藝運行

模塊化抗臭氧氧化設(shè)計與高效風冷系統(tǒng),確保設(shè)備可連續(xù)穩(wěn)定工作,完全滿足ALD設(shè)備長時間、多循環(huán)的工藝需求。輸出濃度無漂移,杜絕因源的不穩(wěn)定導致的膜厚波動與性能差異,極大提升科研效率。

雙氣源靈活適配,優(yōu)化科研成本與效果

支持氧氣與潔凈干燥空氣兩種氣源模式。使用氧氣時,可獲得高濃度臭氧,適用于對氧化效率要求極高的反應;使用空氣時,成本更低,足以滿足多數(shù)常規(guī)實驗需求。一機兩用,為您的科研預算提供靈活選擇。

為尖端材料沉積賦能:北京同林M1000型高精度臭氧源


核心參數(shù)一覽:精準量化您的需求

參數(shù)維度詳細指標對ALD/PLD實驗的價值
產(chǎn)出性能產(chǎn)量:≤1 g/h
濃度范圍:1 - 110 mg/L
純度:無氮氧化物、無金屬離子
滿足實驗室級反應腔體用量;寬范圍濃度適配不同材料體系;確保薄膜本征性能。
控制精度調(diào)節(jié)檔位:10檔精密可調(diào)
進氣流量:0.03 - 2 L/min
進氣壓力:0.01 - 0.04 Mpa
實現(xiàn)工藝參數(shù)的精細化、重復性控制;便于工藝開發(fā)與優(yōu)化。
運行特性電源:220V 50Hz
功率:50W
冷卻方式:風冷
連續(xù)運行:≥1000小時
低功耗節(jié)能設(shè)計;無需外接冷卻水,安裝簡便;支持超長周期不間斷工藝。
物理特性尺寸:370*185*110mm
重量:2.8kg
安裝方式:平放/壁掛
結(jié)構(gòu)緊湊,節(jié)省寶貴實驗室空間;可輕松集成于設(shè)備架或?qū)嶒?/td>

本產(chǎn)品已成為國內(nèi)眾多頂尖科研單位在材料科學研究中的首選臭氧源,成功應用于:

中國科學院各大研究所的ALD/PLD系統(tǒng)

清華大學、北京大學的前沿材料實驗室 


選擇M1000,選擇可靠與精準

在探索新材料前沿的道路上,不應因“源”的不穩(wěn)定而徒增變量。北京同林M1000型臭氧發(fā)生器以可靠的穩(wěn)定性、精準的可控性和極高的純凈度,為您掃除科研障礙,助力您更專注于工藝創(chuàng)新與發(fā)現(xiàn),加速科研成果的產(chǎn)出。